Everspin 产品简介
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How Everspin’s Patented MRAM Memory Technology Works
Everspin MRAM与标准CMOS处理器集成
Everspin MRAM是一种基于磁性存储元件与CMOS处理集成的存储器。每个存储元件使用磁性隧道结(MTJ)器件作为存储单元。
磁性隧道结(MTJ)存储元件
磁性隧道结(MTJ)存储元件由固定磁层、薄介电隧道阻挡层和自由磁层组成。当偏压施加到MTJ上时，由磁层极化的电子会通过一种称为隧道的过程穿越介电阻挡层。当自由层的磁矩与固定层平行时，MTJ的电阻较低，而当自由层磁矩与固定层磁矩反平行时，电阻较高。这种随设备磁状态变化的电阻变化效应被称为磁阻效应，因此得名“磁阻”RAM。
Everspin MRAM技术是可靠的
与大多数其他半导体存储技术不同，数据是以磁态而非电荷的形式存储的，并通过测量电阻来感知，而不会干扰磁态。使用磁态进行存储有两个主要优点。首先，磁极化不会像电荷那样随着时间的推移而消失，因此即使断电，信息也会被存储。其次，切换磁极化状态之间不涉及电子或原子的实际运动，因此不存在已知的损耗机制。
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